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电子新材料产业园项目封顶,将新建20余条第三代半导体材料应用等生产线

第三代半导体技术与材料论坛将于2023年9月21-22日在厦门召开,详见后文

据渭滨宣传消息,近日,姜谭经开区电子新材料产业园项目研发大楼主体结构封顶,标志着项目进入二次结构、装饰装修阶段。

电子新材料产业园项目是市、区重点项目,总占地面积88亩,计划建设10万平方米生产厂房及技术研发大楼等辅助设施,新建20余条第三代半导体材料应用、封装测试等生产线。主要生产半导体氮化镓、碳化硅、砷化镓等晶圆、芯片以及相关半导体智能科技应用产品,在5G通信、航空航天、物联网等诸多重要领域有广泛的应用前景。


(相关资料图)

项目建成后,预计实现年产值达30亿元,未来5年总体拉动产值规模将突破100亿元。同时将进一步完善全区电子信息上下游产业链条,带动传感器、微电子等相关产业发展。

来源:集微网

以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体是战略性新兴产业的核心材料,在《“十四五”规划和2035年远景目标纲要》中被列为重点;碳中和与新能源体系变革的背景下,在风电、光伏、新能源汽车、储能等行业应用前景广阔。

据行业机构预测,到2026年,碳化硅产品市场将达35亿美元,氮化镓功率产品市场需求增长到21亿美元。近年来,国内企业如三安、英诺赛科、士兰明镓等不断布局氮化镓项目,全产业链项目约26个,国外龙头如英飞凌等也正积极布局。

在碳化硅功率器件市场,受益于特斯拉的应用需求,意法半导体领先全球市场;Wolfspeed、安森美和罗姆等厂商跟随。衬底、外延、芯片三个环节技术含量密集,是投资和创新重点。碳化硅6英寸衬底技术已经稳定导入产业,8英寸衬底正在探索商业化量产,其中尤以衬底大厂Wolfspeed推进最为迅速,国内企业在提供样品或小规模供货阶段。

第三代半导体技术与材料论坛将于2023年9月21-22日在厦门召开。重点关注碳化硅、氮化镓产业链前景,最新衬底、外延、器件技术与项目投资,碳化硅、氮化镓长晶技术,净化工程与EPC,新兴化合物半导体前沿技术与应用。参观第三代半导体重点企业与项目。

会议主题包括但不限于

国际形势对中国第三代半导体发展的影响

第三代半导体市场及产业发展机遇

6寸与8寸SiC项目投资与市场需求

SiC长晶工艺技术与设备

净化工程与EPC工程项目实践

8英寸SiC国产化进程和技术突破

SiC市场以及技术发展难题&解决方案

SiC与GaN外延片技术进展

大尺寸GaN长晶难点及技术展望

GaN材料技术进展

SiC与GaN器件与下游应用

功率器件封装技术与材料

新兴化合物半导体进展:氧化镓、氮化铝、金刚石、氧化锌

工业参观与考察(重点企业或园区)

最新日程如下

会议日程

宽禁带器件应用中的机遇与挑战(题目暂定)

——厦门三安光电有限公司(已定)

中国第三代半导体产业布局情况(题目暂定)

——中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟(已定)

SiC单晶生长技术浅析及应用展望(题目暂定)

——山西烁科晶体有限公司(已定)

国产碳化硅功率器件机遇和挑战(题目暂定)

——安徽芯塔电子科技有限公司(已定)

国产SiC MOSFET发展要点浅析

——泰科天润半导体科技(北京)有限公司(已定)

用于汽车半导体的碳化硅MOSFET解决方案(题目暂定)

——深圳基本半导体有限公司(已定)

大尺寸碳化硅单晶工艺控制

——山东天岳先进材料科技有限公司(待定)

碳化硅晶体的生长技术,PVT法及液相法

——中国电子科技集团公司第二研究所(待定)

大尺寸碳化硅晶圆制造技术难点

——上海积塔半导体有限公司(待定)

Si基GaN器件及系统研究与产业前景

——南方科技大学(待定)

氮化镓同质外延功率/射频器件应用与相关单晶衬底制备技术的研发进展

——东莞中镓半导体科技有限公司(待定)

中国第三代半导体供应链现状

——厦门士兰明镓化合物半导体有限公司(待定)

GaN在车用功率半导体的应用

——苏州晶方半导体科技股份有限公司(待定)

*以上演讲报告列表将随着会议邀请工作进展不断更新,最终版以会场发布为准。

若您有意向参与演讲、赞助或参会,欢迎联系我们!(见文末)

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